檢索結果：共8筆資料 檢索策略： "洪儒生".ccommittee (精準) and cdept.raw="電子工程系"
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本研究以Silvaco公司所開發的元件模擬軟體ATLAS模擬單晶矽太陽能池並觀察n+層(射極)及p+層的厚度及摻雜濃度對元件特性的影響，模擬結果顯示，n+層最佳厚度為0.3μm摻雜濃度為5×1018…
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本論文研究主要針對實驗室已開發之奈米碳管整合於矽散熱基板結構做近一步的熱模擬分析及製程步驟之優化改良，並提出利用高熱傳導之陶瓷材料碳化矽(SiC)及離子佈植氬原子的方式，來取代原先基板介電層採用之低…
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本研究中，我們在n-GaN/Sapphire基材上以自組裝的有機金屬化學氣相沈積（Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD）系統成長氮化鎵(GaN…
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本論文主要係自我對準指叉狀背面電極太陽能電池的製程應用與各個製程條件與相關結果之探討。相較於傳統的正反太陽能電池，指叉狀背面電極太陽能電池有許多如無正面遮蔽效應、減少串聯電阻等許多優點。本實驗在IB…
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本論文研發氮化鎵表面粗糙化技術並嘗試應用於提升氮化鎵太陽能電池光電流。由於商用氮化鎵晶圓是為做LED元件設計，主動層多重量子井數目較少。為了避免QCSE (quantum-confined Star…
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近年來，許多人嘗試將奈米或微米球作為表面織構散射體以增加薄膜太陽能電池的轉換效率，然而散射體的尺寸及折射率等參數對散射效果的影響還未被充分瞭解。在本研究中，我們使用光線追跡 (Ray Tracing…
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本論文利用三族氮化物中，具有紫外光至藍光吸收波段之氮化鎵材料研製光偵測器，可應用為紫外光或藍光感測器，並以GaN/InGaN多重量子井主動層結構製作PIN(p-intrinsic-n-type)光偵…
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本研究利用標準Bulk CMOS製程中高解析度離子佈植與多層金屬連接層的特性，實現積體化背部電極太陽能電池，選擇0.18、0.35μm CMOS製程中的N-well/P-substrate接面區域設…